nor flash和nand flash的区别

1、与NOR闪存相比，NAND闪存更加密集，主要是因为它的每比特成本更低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND闪存密度较高，它主要用于数据存储应用。
2、NAND闪存中的擦除操作比较容易，在NOR闪存中，每个字节需要在擦除之前写入“0”。这使得NOR闪存擦除操作比NAND闪存慢得多。例如，NAND闪存中的S34ML04G2需要3.5ms来擦除128KB的块，而NOR闪存中的S70GL02GT需要大约520ms来擦除类似的128KB的扇区。
3、存储容量不同，NAND具有更高的存储容量，这是因为NAND Flash具有更高的密度，因此可以存储更多的数据。
资料拓展：Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。