nand flash和nor flash区别

1、NOR的读取速度更快，NAND的写入速度更快。
2、NOR闪存具有SRAM接口，具有足够的引脚，可以寻址并轻松访问其内部的每个字节。NAND设备使用复杂的I / O端口来串行访问数据，各个产品或供应商的方法可能会有所不同。
3、NAND闪存单元尺寸比NOR小。由于更简单的生产工艺，NAND结构可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量，从而降低了价格。NOR闪存占据1至16MB闪存市场的大部分，而NAND闪存仅用于8-128MB产品。这也表明NOR主要用于代码存储介质。
4、NAND闪存中每块的擦除最大数量为100万，而NOR擦除的数量为十万。除了具有10比1的块擦除周期优势之外，典型的NAND块大小比NOR器件小8倍，并且每个NAND存储器块在给定时间具有更少的删除量。
资料拓展：NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（x8）/word（x16），这就是NAND Device的位宽。NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。